特許
J-GLOBAL ID：201103010745523179

半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
細羽 みゆき

細羽 みゆき について

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坂田 淳一郎

坂田 淳一郎 について

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桑原 秀明

桑原 秀明 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-169056
公開番号（公開出願番号）：特開2011-049548
出願日： 2010年07月28日
公開日（公表日）： 2011年03月10日
要約：
【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】酸化物半導体層を用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、該酸化物絶縁層の形成時に酸化物半導体層の積層の周縁部(側面を含む)を覆う酸化物絶縁層を形成する。また、チャネル保護層に重ならないようにソース電極層及びドレイン電極層を形成し、ソース電極層及びドレイン電極層上の絶縁層が酸化物半導体層と接する構成とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面上にゲート電極層と、 前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層上に酸化物絶縁層と、 前記酸化物絶縁層上にソース電極層またはドレイン電極層と、 前記ソース電極層または前記ドレイン電極層上に絶縁層とを有し、 前記酸化物半導体層は、前記酸化物絶縁層と接する第1の領域と、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と接する第2の領域と、前記絶縁層と接する第3の領域と、を有し、 前記第1の領域のうち、前記ゲート電極層と前記ゲート絶縁層を介して重なる領域がチャネル形成領域であり、 前記チャネル形成領域と前記第2の領域との間に前記第3の領域を有する半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/22
FI (5件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 Z
Fターム (113件)：
2H092GA13 ,  2H092GA15 ,  2H092GA17 ,  2H092GA29 ,  2H092GA36 ,  2H092GA59 ,  2H092HA13 ,  2H092HA14 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA31 ,  2H092JA33 ,  2H092JA35 ,  2H092JA36 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB05 ,  2H092JB13 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB42 ,  2H092JB58 ,  2H092JB64 ,  2H092JB69 ,  2H092JB79 ,  2H092KA04 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KA19 ,  2H092KA22 ,  2H092KB05 ,  2H092KB14 ,  2H092KB22 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA15 ,  2H092MA17 ,  2H092MA29 ,  2H092NA22 ,  2H092NA23 ,  2H092QA07 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC14 ,  3K107CC31 ,  3K107CC33 ,  3K107DD90 ,  3K107DD95 ,  3K107EE04 ,  3K107GG05 ,  3K107HH05 ,  5F110AA02 ,  5F110AA06 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE25 ,  5F110EE30 ,  5F110EE38 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL01 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN12 ,  5F110NN14 ,  5F110NN22 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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