発光素子および発光素子モジュール

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-268542
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094188
特許番号：特許第4163343号
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】発光波長に対して透明な基板、該基板上に形成され該基板と同じ導電型を示す第1導電型クラッド層、および該第1導電型クラッド層上に形成された活性層構造を有する発光素子であって、前記第1導電型クラッド層の厚みが0.5〜5μmであり、前記活性層がInを含む活性層であり、前記基板と前記第1導電型クラッド層の間に厚みが0.15〜0.75μmである第1導電型低屈折率層が形成されており、該第1導電型低屈折率層が前記基板に接するように形成されているか、該基板上に形成されたバッファ層上に該バッファ層と接するように形成されており、かつ、前記基板の発光波長に対する屈折率nsub、前記第1導電型クラッド層の発光波長に対する平均屈折率の実数部分nclad1、および前記第1導電型低屈折率層の発光波長に対する平均屈折率nLIL1が以下の関係式を満足することを特徴とする発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/022 ( 200 6.01) , G02B 6/42 ( 200 6.01) , H01L 33/00 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01S 5/022 , G02B 6/42 , H01L 33/00 M

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-324176 出願人：日本電信電話株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-053353 出願人：株式会社東芝
レーザダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-036745 出願人：イーストマン・コダックジャパン株式会社

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審査官引用 (6件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-324176 出願人：日本電信電話株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-053353 出願人：株式会社東芝
窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-105515 出願人：シャープ株式会社

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引用文献：

出願人引用 (1件)

OSA TOPS on Optical Amplifiers and Their Applications, 1996, Vol.5, p.101-104

審査官引用 (2件)

OSA TOPS on Optical Amplifiers and Their Applications, 1996, Vol.5, p.101-104
OSA TOPS on Optical Amplifiers and Their Applications, 1996, Vol.5, p.101-104

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