特許
J-GLOBAL ID：201103012120236735

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
藤井 敬久

藤井 敬久 について

, 
ジョン トワイナム

ジョン トワイナム について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-220990
公開番号（公開出願番号）：特開2011-071307
出願日： 2009年09月25日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：
【課題】高電圧を印加しても壊れにくい電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】電界効果トランジスタは、基板1、チャネル層3及びバリア層4と、バリア層4上にこの順で離間して設けられたソース電極6、ゲート電極7およびドレイン電極8とを備え、ソース電極6の直下に第1のn型不純物拡散領域12が設けられ、ドレイン電極8の直下に第2のn型不純物拡散領域13が設けられ、第2のn型不純物拡散領域の下側の前記チャネル層3および第2のn型不純物拡散領域の前記ゲート電極側の前記チャネル層3および前記バリア層4に第3のn型不純物拡散領域15が設けられる。第3のn型不純物拡散領域15は第2のn型不純物拡散領域13よりも低いn型不純物濃度を有し、ゲート電極とドレイン電極との間に電圧が印加されたときバリア層4およびチャネル層3においてその絶縁破壊強度を超える電界集中が生じることを抑制する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にチャネル層およびバリア層がこの順で設けられ、 前記バリア層上にソース電極、ゲート電極およびドレイン電極がこの順で離間して設けられ、 前記ソース電極の直下の前記バリア層および前記チャネル層に第1のn型不純物拡散領域が設けられ、 前記ドレイン電極の直下の前記バリア層および前記チャネル層に第2のn型不純物拡散領域が設けられ、 第2のn型不純物拡散領域の下側の前記チャネル層および第2のn型不純物拡散領域の前記ゲート電極側の前記チャネル層および前記バリア層に第3のn型不純物拡散領域が設けられ、 第1のn型不純物拡散領域および第3のn型不純物拡散領域は、前記ゲート電極が有する前記チャネル層に最も近い下面の直下の前記バリア層および前記チャネル層を除く部分に設けられ、 第3のn型不純物拡散領域は、第2のn型不純物拡散領域よりも低いn型不純物濃度を有し、 第3のn型不純物拡散領域は、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に電圧を印加したとき前記バリア層および前記チャネル層においてその絶縁破壊強度を超える電界集中が生じることを抑制することを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (6件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/41
FI (5件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/80 F ,  H01L29/44 Y
Fターム (74件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD79 ,  4M104FF10 ,  4M104FF17 ,  4M104GG11 ,  5F102FA01 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GL16 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GR15 ,  5F102GR16 ,  5F102GS03 ,  5F102GS06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F140AA25 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB18 ,  5F140BC11 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD10 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BF43 ,  5F140BH21 ,  5F140BH30 ,  5F140BH47 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK29 ,  5F140BK38 ,  5F140CD09
引用特許：
審査官引用 (7件)
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