特許
J-GLOBAL ID：200903029077291729

増幅回路及びその制御方法、並びに増幅回路モジュール

発明者：
宇井 範彦

宇井 範彦 について


出願人/特許権者：
ユーディナデバイス株式会社

ユーディナデバイス株式会社 について


代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-335982
公開番号（公開出願番号）：特開2006-148546
出願日： 2004年11月19日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：
【課題】 GaN系半導体素子を用いた増幅回路に生じる位相歪を補償することができる増幅回路を提供する。【解決手段】 能動領域がGaNあるいはその化合物半導体で構成された増幅素子を有するアンプ2と、アンプ2に接続され、減衰性を備え、負の位相歪を有する位相補償回路3とを有する構成としている。能動領域がGaNあるいはその化合物半導体で構成された増幅素子でアンプを構成した場合に、負の位相歪を有する位相補償回路3をアンプ2に接続することで、アンプで生じる位相歪を補償することができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
能動領域がGaNあるいはその化合物半導体で構成された増幅素子を有するアンプと、 前記アンプに接続され、減衰性を備え、負の位相歪を有する歪補償回路とを備えることを特徴とする増幅回路。
IPC (6件)：
H03F 1/32 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338
FI (3件)：
H03F1/32 ,  H01L27/04 F ,  H01L29/80 H
Fターム (32件)：
5F038AZ03 ,  5F038AZ08 ,  5F038BH16 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5J500AA01 ,  5J500AC26 ,  5J500AF19 ,  5J500AH09 ,  5J500AH19 ,  5J500AH25 ,  5J500AH26 ,  5J500AH29 ,  5J500AK00 ,  5J500AK12 ,  5J500AM08 ,  5J500AQ02 ,  5J500AQ04 ,  5J500AT01 ,  5J500AT07 ,  5J500NG02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (9件)
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