半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-375474
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189426
特許番号：特許第3571981号
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】情報を記憶する第1、第2のメモリセルと、前記第1のメモリセルに接続され、第1の配線層に形成された第1配線と、前記第1のメモリセルに接続され、前記第1配線に隣接して所定の間隔を保持するように、前記第1の配線層に形成された第2配線と、前記第2のメモリセルに接続され、第2の配線層に前記第2配線に隣接して形成された第3配線と、前記第2のメモリセルに接続され、前記第3配線に隣接して所定の間隔を保持するように、前記第2の配線層に形成された第4配線と、を具備することを特徴とする不良解析用の半導体装置。

IPC (5件)：