特許
J-GLOBAL ID：201103012836701986

半導体装置およびその製造方法

発明者：
岡田 政也

岡田 政也 について

, 
木山 誠

木山 誠 について

, 
八重樫 誠司

八重樫 誠司 について

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中田 健

中田 健 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について

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住友電工デバイス・イノベーション株式会社

住友電工デバイス・イノベーション株式会社 について


代理人 (2件)： 特許業務法人ハートクラスタ ,  渡辺 征一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-178324
公開番号（公開出願番号）：特開2011-035072
出願日： 2009年07月30日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：
【課題】 サージ電圧等に対するバイパス用の保護部を備え、耐圧性能および低いオン抵抗(低いオン電圧)を実現し、かつ、構造が簡単な、大電流用の、半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 支持基体上にオーミック接触するGaN層を有するn+型GaN基板1と、第1領域R1上におけるn-型GaNドリフト層2を有するFETと、第2領域R2においてn-型GaNドリフト層2にショットキー接触するアノード電極を有するSBDとを備え、FETとSBDとは並列配置されており、n+型GaN基板1の裏面に、FETのドレイン電極DおよびSBDのカソード電極Cを備えることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
支持基体上にオーミック接触するGaN層を有する基板の第1領域上においてスイッチング素子を構成し、第1導電型ドリフト層を有するFET(Field Effect Transistor)と、 前記基板の第2領域上に位置する第1導電型層にショットキー接触する電極を有するSBD(Schottky Barrier Diode)とを備え、 前記FETと前記SBDとは並列配置されており、 前記基板の裏面に、前記FETの裏面電極および前記SBDの裏面電極を備えることを特徴とする、半導体装置。
IPC (15件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 27/095 ,  H01L 29/80 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/76
FI (15件)：
H01L27/06 F ,  H01L27/04 H ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 657D ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 E ,  H01L29/80 P ,  H01L29/80 V ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/48 F ,  H01L29/78 652R ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/06 311B
Fターム (62件)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD78 ,  4M104FF02 ,  4M104FF07 ,  4M104FF11 ,  4M104FF17 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  5F038BH04 ,  5F038BH09 ,  5F038BH15 ,  5F038CA05 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048AB04 ,  5F048AC09 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BB01 ,  5F048BC01 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD06 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048CB06 ,  5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102FA06 ,  5F102FA08 ,  5F102GA14 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GS09 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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