電界効果トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：板垣孝夫 , 森本義弘 , 笹原敏司 , 原田洋平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-339544
公開番号（公開出願番号）：特開2007-149794
出願日： 2005年11月25日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：

【課題】オン抵抗の増加を抑制しながらノーマリーオフ動作を実現する電界効果トランジスタを提供することを目的とする。【解決方法】ゲート電極107を構成する材料を、従来一般的に使用されるNi等に比べて仕事関数の大きい導電性酸化物を用いることにより、ヘテロ接合部分のシートキャリア濃度を低くすることなくノーマリーオフ型トランジスタを実現することができるので、オン抵抗の増加を抑制しながらノーマリーオフ動作を実現することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

仕事関数が5.6eV以上であり、かつ導電性を有する酸化物をゲート電極に用いることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778

FI (3件)：

H01L29/80 M , H01L29/80 H , H01L29/80 U

Fターム (21件)：

5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GB02 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR03 , 5F102GR04 , 5F102GS04 , 5F102GT04 , 5F102GV05 , 5F102GV07 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC19

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-142410 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-058021 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-098494 出願人：株式会社東芝

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