特許
J-GLOBAL ID：201103013661185609
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-174714
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031404
特許番号：特許第4005270号
出願日： 1999年06月21日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 活性領域と非活性領域を定義するための素子分離領域を有する半導体基板の前記活性領域上に導電層を形成する段階と、
前記導電層を含んで前記半導体基板上に第1絶縁膜を形成する段階と、
キャパシタ下部電極と、ジルコニウムよりチタン成分を相対的に多く含む強誘電体膜と、キャパシタ上部電極とを前記第1絶縁膜上に順に形成してキャパシタを形成し、前記キャパシタ上部電極及び前記強誘電体膜が、前記キャパシタ下部電極の一部とオーバーラップされるように形成する段階と、
前記半導体基板全面に第2絶縁膜を形成する段階と、
前記第2絶縁膜を部分的にエッチングして前記キャパシタ下部電極の上部表面の一部を露出させる第1開口部を形成する段階と、
前記キャパシタ下部電極と前記強誘電体膜の界面における反応を防止する熱処理を遂行する段階と、
前記第2絶縁膜及び前記第1絶縁膜をエッチングして前記導電層の一側の前記活性領域の一部を露出させる第2開口部を形成する段階と、
前記第2絶縁膜上に、前記第1開口部と前記第2開口部を通して前記キャパシタ下部電極と前記活性領域を電気的に接続させるコンタクト層を形成する段階とを含み、
前記強誘電体膜は、PZTまたはPLZTで形成され、
前記熱処理を遂行する段階は、酸素雰囲気で450°C以上の温度で行われ、
前記キャパシタ下部電極は、白金、イリジウム、ロジウム、および、ルテニウムの中のいずれか1つ、または、二酸化イリジウム膜、ITO膜、二酸化ロジウム膜、二酸化ルテニウム膜、および、三酸化モリブデン膜のいずれかの膜と白金、イリジウム、ロジウム及びルテニウムの中のいずれかの膜が順に積層された多層膜で形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/8246 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
