特許
J-GLOBAL ID:201103014782347947

洗浄用レチクル、レチクルステージの洗浄方法及び半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 日向寺 雅彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-293859
公開番号(公開出願番号):特開2011-134929
出願日: 2009年12月25日
公開日(公表日): 2011年07月07日
要約:
【課題】露光ユニットを大気開放することなくレチクルステージを洗浄することができる洗浄用レチクル、レチクルステージの洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】極端紫外線露光装置のレチクルステージの洗浄方法において、基板上にパーティクル取込層が形成された洗浄用レチクルのパーティクル取込層をレチクルステージに押し付ける工程と、洗浄用レチクルをレチクルステージから剥離する工程と、基板上からパーティクル取込層を除去する工程と、パーティクル取込層が除去された基板上に新たにパーティクル取込層を形成する工程と、を設ける。【選択図】図1
請求項(抜粋):
紫外線を透過させる基板と、 前記基板上に形成され、前記紫外線が照射されると硬化する紫外線硬化層と、 を備えたことを特徴とするレチクルステージの洗浄用レチクル。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  H01L 21/304
FI (4件):
H01L21/30 531Z ,  H01L21/30 503G ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/304 641
Fターム (28件):
5F046AA22 ,  5F046CB17 ,  5F046CC09 ,  5F046DA27 ,  5F046GA12 ,  5F046GA14 ,  5F046GD20 ,  5F146AA22 ,  5F146CB17 ,  5F146CC09 ,  5F146DA27 ,  5F146GA12 ,  5F146GA23 ,  5F146GD20 ,  5F157AA73 ,  5F157BA10 ,  5F157CB03 ,  5F157CB11 ,  5F157CB31 ,  5F157CC00 ,  5F157CC31 ,  5F157CF62 ,  5F157DA21 ,  5F157DB46 ,  5F157DB51 ,  5F157DC00 ,  5F157DC88 ,  5F157DC90
引用特許:
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る