特許

J-GLOBAL ID：201103015426983126

強誘電体薄膜

発明者： 島田 幹夫 ,  饗場 利明 ,  伊福 俊博 ,  林 潤平 ,  久保田 純 ,  舟窪 浩 ,  島川 祐一 ,  東 正樹 ,  中村 嘉孝
出願人/特許権者： キヤノン株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学 ,  国立大学法人京都大学
代理人 (8件)： 岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  朝日 伸光 ,  高橋 誠一郎 ,  齋藤 正巳 ,  木村 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-218892
公開番号（公開出願番号）：特開2011-093788
出願日： 2010年09月29日
公開日（公表日）： 2011年05月12日
要約：

【課題】基板上に形成された強誘電体薄膜の薄膜全体において残留分極量を向上させた強誘電体薄膜を提供する。【解決手段】基板上に形成されたペロブスカイト型金属酸化物を含有する強誘電体薄膜であって、前記強誘電体薄膜はスピネル型金属酸化物からなる複数の柱状構造体から形成される柱状構造体群を含有し、前記柱状構造体群が前記基板表面に対して垂直方向に立位している、または前記垂直方向を中心として-10°以上+10°以下の範囲で傾斜している強誘電体薄膜。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたペロブスカイト型金属酸化物を含有する強誘電体薄膜であって、前記強誘電体薄膜はスピネル型金属酸化物からなる複数の柱状構造体から形成される柱状構造体群を含有し、前記柱状構造体群が前記基板表面に対して垂直方向に立位している、または前記垂直方向を中心として-10°以上+10°以下の範囲で傾斜していることを特徴とする強誘電体薄膜。

IPC (9件)：

C01G 51/00 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24 ,  C01G 49/06 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12

FI (9件)：

C01G51/00 B ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/22 A ,  C01G49/06 Z ,  H01B3/00 F ,  H01B3/12 318Z ,  H01B3/12 339

Fターム (21件)：

4G002AA06 ,  4G002AA10 ,  4G002AB01 ,  4G002AD02 ,  4G002AE02 ,  4G002AE05 ,  4G048AA03 ,  4G048AB01 ,  4G048AC03 ,  4G048AC04 ,  4G048AD02 ,  4G048AD08 ,  4G048AE05 ,  5F083FR00 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083PR22 ,  5G303BA03 ,  5G303CB05 ,  5G303CB09 ,  5G303CB13

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-296684   出願人：キヤノン株式会社
• 強誘電体メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-173247   出願人：セイコーエプソン株式会社
• ペロブスカイト型酸化物薄膜の成膜方法および積層体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-236002   出願人：国立大学法人東京工業大学, 富士通株式会社

引用文献：

審査官引用 (4件)

• Controlling Self-Assembled Perovskite-Spinel Nanostructures
• Multiferroic BaTiO3-CoFe2O4 Nanostructures
• Self-assembled multiferroic nanostructures in the CoFe2O4-PbTiO3 system
• Three-dimensional heteroepitaxy in self-assembled BaTiO3-CoFe2O4 nanostructures