特許
J-GLOBAL ID：200903018013548384

ペロブスカイト型酸化物薄膜の成膜方法および積層体

発明者：
篠崎 和夫

篠崎 和夫 について

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高 鉉龍

高 鉉龍 について

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脇谷 尚樹

脇谷 尚樹 について

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木口 賢紀

木口 賢紀 について

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近藤 正雄

近藤 正雄 について

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丸山 研二

丸山 研二 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東京工業大学

国立大学法人東京工業大学 について

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富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (3件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-236002
公開番号（公開出願番号）：特開2009-070926
出願日： 2007年09月11日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：
【課題】(111)、(001)もしくは(110)のいずれかに配向したペロブスカイト型酸化物薄膜を容易に得る方法を提供する。さらに、このペロブスカイト型酸化物薄膜を下部電極として、その上に強誘電体薄膜等を積層することにより、優れた特性の強誘電体層等を得、これを有する半導体装置を提供しうる。【解決手段】基板の(001)面に蛍石型構造のバッファー層、ついで結晶方位制御バッファー層を形成した後に、ペロブスカイト型酸化物薄膜を該結晶方位制御バッファー層上に積層して(111)、(001)もしくは(110)のいずれかに配向したペロブスカイト型酸化物薄膜を得る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の(001)面に蛍石型構造のバッファー層、ついで結晶方位制御バッファー層を形成した後に、ペロブスカイト型酸化物薄膜を該結晶方位制御バッファー層上に積層して(111)、(001)もしくは(110)のいずれかに配向したペロブスカイト型酸化物薄膜を得ることを特徴とするペロブスカイト型酸化物薄膜の成膜方法。
IPC (2件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (2件)：
H01L27/10 444B ,  H01L27/10 444C
Fターム (39件)：
4K029AA06 ,  4K029BA50 ,  4K029BD01 ,  4K029CA02 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BB02 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH02 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083GA06 ,  5F083GA25 ,  5F083HA06 ,  5F083HA10 ,  5F083JA05 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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