半導体装置の製造方法及び基板処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-146008
公開番号（公開出願番号）：特開2011-119644
出願日： 2010年06月28日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：

【課題】アモルファスシリコン膜の表面粗さを改善することを可能とする。【解決手段】基板上にアモルファスシリコン膜を第1の炉内圧力で成膜するプリパージ工程と、プリパージ工程の次の工程であり第2の炉内圧力で成膜するデポ工程とからなり、前記デポ工程時の炉内圧力である第2の炉内圧力に関しては前記プリパージ工程の炉内圧力である第1の炉内圧力より低くしたことを特徴とする。更に各工程におけるSiH4の流量を異ならせることを特徴とする。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

基板上にアモルファスシリコン膜を成膜する工程において、前記工程の初期段階において炉内圧力を第1の圧力としてSiH4を流す段階と、前記初期段階の後の段階において炉内圧力を前記第1の圧力より低い第2の圧力としてSiH4を流す段階と、からなる半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24

FI (2件)：

H01L21/205 , C23C16/24

Fターム (22件)：

4K030AA06 , 4K030AA18 , 4K030BA30 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030HA01 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AE23 , 5F045BB02 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EE17 , 5F045EG06

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-140777
電子写真感光体及び光受容部材の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-325410 出願人：キヤノン株式会社
薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-285051 出願人：ソニー株式会社

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