不揮発磁気薄膜メモリ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：宮崎昭夫 , 金田暢之 , 伊藤克博 , 石橋政幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-310011
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115577
特許番号：特許第4100892号
出願日： 2001年10月05日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上にトランジスタと磁気抵抗効果素子と該磁気抵抗効果素子に磁界を印加するための金属配線を備えた不揮発磁気薄膜メモリにおいて、前記磁気抵抗効果素子は垂直磁化膜を有し、前記垂直磁化膜が希土類金属と遷移金属の合金薄膜で、希土類元素磁化が優勢なフェリ磁性体からなり、室温とキュリー温度の間に補償温度を有し、前記フェリ磁性体が、動作温度-20[°C]〜100[°C]の範囲で、保磁力の変化量が10[Oe]以下であることを特徴とする不揮発磁気薄膜メモリ装置。

IPC (2件)：