特許
J-GLOBAL ID：201103020445229010
センサ装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-064181
公開番号（公開出願番号）：特開2011-196835
出願日： 2010年03月19日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：
【課題】検出感度を向上させること。【解決手段】基板10と、前記基板10上に設けられ多孔質構造を備え、前記多孔質構造内にセンシング対象物質を吸着する物質またはセンシング対象物質と反応する物質が化学修飾または含侵している酸化シリコン膜16と、前記酸化シリコン膜16の静電容量を測定する電極14および18と、を具備するセンサ装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に設けられ多孔質構造を備え、前記多孔質構造内にセンシング対象物質を吸着する物質またはセンシング対象物質と反応する物質が化学修飾または含侵している酸化シリコン膜と、
前記酸化シリコン膜の静電容量を測定する電極と、
を具備することを特徴とするセンサ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
2G060AA01
, 2G060AE19
, 2G060AF10
, 2G060AG06
, 2G060AG08
, 2G060AG11
, 2G060AG15
, 2G060BB09
