多孔質フィルムの改質方法、改質された多孔質フィルム及びその用途

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：鈴木俊一郎 , 牧村浩次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-317210
公開番号（公開出願番号）：特開2004-292304
出願日： 2003年09月09日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】疎水性と機械強度に優れる改質された多孔質フィルム、または疎水性に優れ、半導体材料に使用する場合においてバリアメタルの拡散が防止される改質された多孔質フィルムを提供する。【解決手段】改質された多孔質フィルムの改質方法は、Si-O結合を主として有する多孔質フィルムと有機ケイ素化合物とを、金属触媒を用いないで加熱下に接触させる多孔質フィルムの改質方法であって、前記有機ケイ素化合物として、 Si-A結合単位(AはH、OH、OCeH2e+1(eは1〜6の整数)、またはハロゲン原子を示し、同一分子内の複数のAは同じでも異なっていてもよい。)を2つ以上有し、さらに Si-X-Si結合単位(Xは、O,NR,CfH2f(fは1または2)またはC6H4を示し、RはCgH2g+1(gは1〜6の整数)またはC6H5を示す。)を1つ以上有する有機ケイ素化合物を用いる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

Si-O結合を主として有する多孔質フィルムと有機ケイ素化合物とを、金属触媒を用いないで加熱下に接触させる多孔質フィルムの改質方法であって、前記有機ケイ素化合物として、 Si-A結合単位(AはH、OH、OCeH2e+1(eは1〜6の整数)、またはハロゲン原子を示し、同一分子内の複数のAは同じでも異なっていてもよい。)を2つ以上有し、さらに Si-X-Si結合単位(Xは、O,NR,CfH2f(fは1または2)またはC6H4 を示し、RはCgH2g+1(gは1〜6の整数)またはC6H5を示す。)を1つ以上有する有機ケイ素化合物を用いることを特徴とする多孔質フィルムの改質方法。

IPC (3件)：

C01B33/12 , H01B3/46 , H01B17/56

FI (4件)：

C01B33/12 C , H01B3/46 D , H01B17/56 A , H01B17/56 L

Fターム (33件)：

4G072AA25 , 4G072BB09 , 4G072BB15 , 4G072GG01 , 4G072GG03 , 4G072HH14 , 4G072HH29 , 4G072MM02 , 4G072MM35 , 4G072MM36 , 4G072NN21 , 4G072QQ06 , 4G072RR01 , 4G072UU01 , 5G305AA11 , 5G305AB15 , 5G305AB26 , 5G305BA18 , 5G305CA26 , 5G305CB26 , 5G333AA03 , 5G333AB12 , 5G333CB01 , 5G333CC04 , 5G333DA05 , 5H026BB01 , 5H026BB10 , 5H026CX04 , 5H026EE18 , 5H026HH03 , 5H026HH04 , 5H026HH05 , 5H026HH08

引用特許：

出願人引用 (8件)

国際公開第00/39028号パンフレット
米国特許第6208014号明細書
膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-177696 出願人：ジェイエスアール株式会社

全件表示

審査官引用 (15件)

特開昭47-025093
特開平3-258866
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-233211 出願人：川崎製鉄株式会社

全件表示

前のページに戻る