半導体ウエハ研磨方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤正年 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-007464
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217151
特許番号：特許第3498288号
出願日： 2001年01月16日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体ウエハの表面を研磨材を含む研磨液を用いて鏡面研磨を行う工程と、鏡面研磨後の半導体ウエハを搬送水を用いて枚葉式の洗浄装置に水中搬送する搬送工程と、を備えた半導体ウエハ研磨方法において、前記鏡面研磨の際に半導体ウエハを研磨ヘッドにより回転する定盤に対し所定圧力で押圧しながら行われる仕上げ研磨処理の終了後に、前記研磨ヘッドに保持したままの半導体ウエハを前記定盤に対し前記所定圧力よりも低加圧または無加圧とした状態で、該定盤上で水リンス処理を行わずに親水化処理を施す親水化処理工程を備えたことを特徴とする半導体ウエハ研磨方法。

IPC (2件)：