特許
J-GLOBAL ID：201103021916972939
同期式半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
青山 葆
, 山崎 宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-189016
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023388
特許番号：特許第3615424号
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】マトリックス状に配列された複数のメモリセルが複数列毎に分割された複数のメモリブロックと、上記各メモリブロックの同一行のメモリセルを活性化するためのワード線と、上記各メモリブロックの同一列のメモリセルの一端に接続されたビット線と、上記各メモリブロックの同一列のメモリセルの他端に接続されたバーチャルGND線とを備えた同期式半導体記憶装置であって、読み出し動作時、入力されたコラムアドレスに基づいて上記各メモリブロックのうちのいずれか1つを選択するコラムセレクタと、読み出し動作時、上記コラムセレクタにより選択された上記メモリブロックの上記ビット線の電位とリファレンス線の電位との電位差を表す信号を保持して増幅するセンスアンプと、上記コラムセレクタにより選択された以外の上記メモリブロックの上記ビット線,バーチャルGND線にプリチャージ電位の供給するプリチャージ電位供給回路と、読み出し動作時、上記センスアンプによって上記ビット線の電位と上記リファレンス線の電位との電位差を表す信号を保持すると、上記センスアンプに接続された上記ビット線,リファレンス線を次の読み出し動作まで切り離すと共に、上記グランド電位に接続された上記バーチャルGND線を次の読み出し動作まで切り離す分離回路とを備え、読み出し動作時に上記分離回路によって上記センスアンプから切り離された上記ビット線,上記バーチャルGND線に、上記プリチャージ電位供給回路によりプリチャージ電位を供給することを特徴とする同期式半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 634 B
, G11C 17/00 613
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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