特許
J-GLOBAL ID：201103022236651557
半導体素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-094755
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294768
特許番号：特許第4577460号
出願日： 1999年04月01日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 チャネル層に対応して制御電極が設けられると共に、前記チャネル層はIII族元素であるガリウム(Ga),アルミニウム(Al),ホウ素(B)およびインジウム(In)からなる群のうちの少なくとも1種と、V族元素である窒素(N),リン(P)およびヒ素(As)からなる群のうちの少なくとも窒素とを含む窒化物系III-V族化合物半導体よりなる半導体素子であって、
前記チャネル層と前記制御電極との間に設けられ、III族元素として少なくともアルミニウムを含む窒化物系III-V族化合物半導体よりなる1または2以上の絶縁膜を有すると共に、
前記絶縁膜のうちの少なくとも1つは、前記チャネル層の側から前記制御電極の側に向かって成長された複数の柱状結晶よりなり、その表面において柱状結晶塊の間に存在する間隙の最大深さがその膜厚の65%以下であり、かつ、その表面において柱状結晶塊の間に存在する間隙の平均深さがその膜厚の30%以下であり、かつ、その表面における柱状結晶塊の平均直径が28nm以下である
半導体素子。
IPC (4件)：
H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
H01L 29/80 H
, H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 B
