特許
J-GLOBAL ID：201103022858730284
窒化物半導体構造とその製法および発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-216110
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106455
特許番号：特許第3987660号
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 同一材料からなる凹部及び凸部が形成され、前記凹部及び凸部に同一の窒化物半導体膜が成長する成長面を有する単一部材の基板と、
前記成長面上に形成された前記窒化物半導体膜とを有し、
前記凹部にて空洞を有することを特徴とする窒化物半導体構造。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01S 5/323 ( 200 6.01)
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
, H01S 5/323
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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