特許
J-GLOBAL ID：201103024773742588

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者：
金村 雅仁

金村 雅仁 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-230878
公開番号（公開出願番号）：特開2011-082217
出願日： 2009年10月02日
公開日（公表日）： 2011年04月21日
要約：
【課題】オン抵抗を大幅に低減し、十分な高電圧動作且つ高出力を得ることができる信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。【解決手段】ソース電極12及びドレイン電極13の下方の凹部7,8を充填し、電子供給層4の上方を覆う、Siを含むn-GaN層9が形成されており、n-GaN層9は、ソース電極12の下方及びドレイン電極13下方に含まれるSiの方が、ゲート電極15の近傍に含まれるSiよりも濃度が大きくなるように、Si添加量を漸減させながら成長形成される。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
電子走行層と、 前記電子走行層上方に形成された電子供給層と、 前記電子供給層に形成された第1の凹部及び第2の凹部と、 前記第1の凹部内及び前記第2の凹部内を埋め込み前記電子供給層の上方を覆う、不純物を含む化合物半導体層と、 前記第1の凹部上方の前記化合物半導体層上方に形成されたソース電極と、 前記第2の凹部上方の前記化合物半導体層上方に形成されたドレイン電極と、 前記ソース電極及び前記ドレイン電極間の前記電子供給層上方に形成されたゲート電極と を含み、 前記化合物半導体層は、前記ソース電極下方及び前記ドレイン電極下方に含まれる不純物の方が、前記ゲート電極近傍に含まれる不純物よりも濃度が大きいことを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/78
FI (5件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/80 F ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 301B
Fターム (66件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104FF07 ,  4M104FF17 ,  4M104GG12 ,  5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GN10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GR08 ,  5F102GR09 ,  5F102GR15 ,  5F102GR17 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02 ,  5F102HC15 ,  5F140AA30 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BB18 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF43 ,  5F140BH05 ,  5F140BH06 ,  5F140BH08 ,  5F140BH27 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK09 ,  5F140BK17 ,  5F140CB04 ,  5F140CE02 ,  5F140CE07
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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