X線露光用マスクの製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-014099
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216075
特許番号：特許第3380761号
出願日： 1999年01月22日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 Siの原料ガスとCの原料ガスと前記原料ガスを希釈するためのキャリアガスとの混合ガスを反応ガスとして用いた、ホットウォールタイプのCVD装置を使用したCVD法により、前記CVD装置の反応管内に載置された複数のシリコン基板上にSiCの薄膜を形成する工程と、前記シリコン基板をエッチングすることにより、前記シリコン基板からなる枠体とこの枠体に張設された前記薄膜からなる吸収体パタン支持用膜とを同時に形成する工程とを有するX線露光用マスクの製造方法において、前記反応ガスに、HCl(塩化水素)をさらに添加することを特徴とするX線露光用マスクの製造方法。

IPC (2件)：