半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：徳丸達雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-295771
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118938
特許番号：特許第3645137号
出願日： 1999年10月18日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】対をなす2本のビット線に夫々ソースが接続された第1導電型の第1及び第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタのドレインにドレインが接続され前記第2のトランジスタのドレインにゲートが接続され接地にソースが接続された第2導電型の第3のトランジスタと、前記第2のトランジスタのドレインにドレインが接続され前記第1のトランジスタのドレインにゲートが接続され接地にソースが接続された第2導電型の第4のトランジスタと、を備え、抵抗負荷素子を備えない4トランジスタメモリセルを有する半導体記憶装置において、前記第1及び第2のトランジスタは、半導体基板上において当該両トランジスタのチャネル幅方向で、かつ前記4トランジスタメモリセルの長手方向に並べて配置され、前記第1乃至第4のトランジスタの各ソース拡散層及びドレイン拡散層は、屈曲することなく前記4トランジスタメモリセルの短手方向に延びていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8244 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/11

FI (3件)：

H01L 27/10 381 , H01L 27/08 321 K , H01L 27/08 321 D

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-267655 出願人：三菱電機株式会社
SRAMメモリセル
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-117634 出願人：ソニー株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-339345 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (1件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-267655 出願人：三菱電機株式会社

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