特許
J-GLOBAL ID：201103026545369349

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

発明者：
宮島 秀史

宮島 秀史 について

, 
藤田 敬次

藤田 敬次 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-068079
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269201
特許番号：特許第3682178号
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 被処理基体を載置する下部電極と、この下部電極と対向配置され、該下部電極側に複数のガス導入口を備えた上部電極との間に電圧を印加してプラズマを発生させ、このプラズマを利用して前記被処理基体に所定の処理を施すプラズマ処理方法において、 少なくとも一部の前記ガス導入口に、ガス通流方向下流側に向かって孔径が広がる部分を設け、前記ガス導入口毎に少なくとも2種類のガスを導入し、 プラズマ中での解離効率の低いガスを導入する前記ガス導入口のガス通流方向下流側の開口端の孔径を、プラズマ中での解離効率の高いガスを導入する前記ガス導入口のガス通流方向下流側の開口端の孔径よりも大きく設定したことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (6件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (6件)：
H01L 21/31 C ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 半導体製造装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-069493   出願人：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
  • プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-318675   出願人：株式会社日立製作所
  • 気体供給用装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-068658   出願人：トリコンホールディングスリミティド
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