特許
J-GLOBAL ID：201103026606192161
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
前田 弘
, 小山 廣毅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-352757
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168231
特許番号：特許第4376388号
出願日： 1999年12月13日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 素子電極が配列された主面と、前記主面の外縁を規定する側面とを有する半導体素子と、
前記半導体素子の前記主面上および前記半導体素子の前記側面上に形成され、前記素子電極を露出する開口部を有する絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、前記開口部内において前記素子電極と電気的に接続された配線層と、
前記配線層のうち前記絶縁層上に形成された部分の上に、形成された外部電極端子と
を備え、
前記半導体素子の側面は、前記主面と鈍角をなす斜面であり、
前記斜面は、前記主面に対向する裏面に接続し、
前記斜面上に形成された前記絶縁層は、前記半導体素子の前記裏面に対して垂直な面を有し、前記裏面に対して垂直な前記絶縁層の前記面と前記斜面との距離が前記半導体素子の前記裏面から前記主面へ向かうにつれて大きくなるように形成されている半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/60 ( 200 6.01)
H01L 23/12 L
, H01L 21/60 311 S
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)
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