半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩佐義幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-079379
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277626
特許番号：特許第3277912号
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板に形成されたゲート酸化膜上に第1のアモルファスシリコン膜を成長する工程と、前記半導体基板の第1および第2の領域上の前記第1のアモルファスシリコン膜にそれぞれN型不純物およびP型不純物をイオン注入する工程と、その後、前記第1のアモルファスシリコン膜上に第2のアモルファスシリコン膜を形成する工程と、前記第1のアモルファスシリコン膜と前記第2のアモルファスシリコン膜の積層膜を加工して前記第1および第2の領域上にそれぞれゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極上をシリサイド化する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：