特許
J-GLOBAL ID：201103027118229400
単結晶GaNの結晶成長方法及び単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-273882
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102307
特許番号：特許第4145437号
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】HVPE法でGaNを気相成長させる方法であって、成長速度が55μm/時以上であって、気相成長の成長表面が平面状態でなく、ファセット面を組み合わせた凹部を有する三次元的なファセット構造を持つようにし、ファセット構造を持ったまま、ファセット構造を成長終了まで埋め込まないで膜厚が330μm以上になるまで成長させ、縦方向の成長によって凹部の底に転位を集中させ凹部の底直下以外の部分の転位を低減することを特徴とする単結晶GaNの結晶成長方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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