特許
J-GLOBAL ID:201103027572039519

メモリシステム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 酒井 宏明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-069328
公開番号(公開出願番号):特開2011-203905
出願日: 2010年03月25日
公開日(公表日): 2011年10月13日
要約:
【課題】ホスト装置からの要求性能に応じて消費電力を変化させることができるメモリシステムを提供すること。【解決手段】ホスト装置200からの書き込みデータを夫々記憶する、夫々個別にリード/ライトされる並列動作要素1a〜1dを備えるメモリ1と、複数の並列動作要素1a〜1dに対してリード/ライトを同時実行する制御部4と、ホスト装置200からの要求性能を計測する要求性能計測部6と、を備え、制御部4は、要求性能計測部6が計測した要求性能に基づいて並列動作要素1a〜1dのリード/ライトの同時実行数を変化させる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ホスト装置からの書き込みデータを夫々記憶する、夫々個別にリード/ライトされる並列動作要素を複数備えるメモリと、 前記複数の並列動作要素に対してリード/ライトを同時実行する制御部と、 前記ホスト装置からの要求性能を計測する要求性能計測部と、 を備え、 前記制御部は、前記要求性能計測部が計測した要求性能に基づいて前記並列動作要素のリード/ライトの同時実行数を変化させる、 ことを特徴とするメモリシステム。
IPC (4件):
G06F 12/06 ,  G06F 3/06 ,  G06F 1/04 ,  G06F 12/00
FI (7件):
G06F12/06 540B ,  G06F12/06 515H ,  G06F3/06 ,  G06F1/04 301C ,  G06F12/00 564C ,  G06F12/00 560B ,  G06F12/00 550B
Fターム (7件):
5B060MM01 ,  5B065BA05 ,  5B065CA16 ,  5B065CE05 ,  5B065ZA14 ,  5B079BA01 ,  5B079BC01
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 半導体ディスク装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-007226   出願人:沖電気工業株式会社
  • メモリカード装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-342233   出願人:松下電器産業株式会社
  • 不揮発性記憶装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2004-326185   出願人:松下電器産業株式会社
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