基板をエッチングするための方法と装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：市東篤 , 市東禮次郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-580243
特許番号：特許第4163857号
出願日： 1999年11月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】チャンバー内の絶縁性下層付き基板に形状をエッチングする方法であって、プラズマによるエッチング・ステップとプラズマによる不動態化層の蒸着ステップとを交互に繰り返し行い、少なくともエッチング・ステップ期間中にプラズマ中に存在するイオン群の主要成分のイオンプラズマ周波数以下であり且つパルスオフ時間が全時間の10〜90%となるように繰り返しパルス化されるバイアス周波数を基板に印加して基板の局所的エッチング又は絶縁性下層との界面における電荷損傷を減少又は排除することを特徴とする方法。

IPC (1件)：