特許

J-GLOBAL ID：201103028598485327

プラズマ反応用ガス及びその製造方法

発明者： 平山 俊達 ,  山田 俊郎 ,  杉本 達也 ,  菅原 充
出願人/特許権者： 日本ゼオン株式会社
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-143562
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332001
特許番号：特許第4492764号
出願日： 1999年05月24日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体装置製造時の、ドライエッチングまたはケミカル・ベーパー・デポジッションに用いられる、オクタフルオロシクロペンテンからなる半導体装置製造用プラズマ反応用ガスであって、該半導体装置製造用プラズマ反応用ガスの全量に対して、オクタフルオロシクロペンテンの純度が99.9容量%以上であり、かつ残余の微量ガス成分として含まれる窒素ガスと酸素ガスの合計量が200容量ppm以下であることを特徴とする、半導体装置製造用プラズマ反応用ガス。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/302 105 A ,  H01L 21/205

引用特許：

出願人引用 (5件)

• フッ化炭化水素化合物の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-276290   出願人：日本ゼオン株式会社
• ヘキサフルオロエタン生成物の精製方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-510901   出願人：イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー
• 弗素含有気体の精製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-073017   出願人：サエス・ゲテルス・ソチエタ・ペル・アチオニ
• 特開昭63-123417
  
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-312906   出願人：工業技術院長, 財団法人機械システム振興協会, 社団法人日本電子機械工業会, 日本ゼオン株式会社

審査官引用 (8件)

• フッ化炭化水素化合物の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-276290   出願人：日本ゼオン株式会社
• プロセス装置及び表面処理方法並びにガス供給配管系
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-336401   出願人：高橋研
• 真空処理方法、およびその真空処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-096311   出願人：工業技術院長, 日本真空技術株式会社
• ガス精製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-082126   出願人：東京エレクトロン株式会社
• ヘキサフルオロエタン生成物の精製方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-510901   出願人：イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー
• 弗素含有気体の精製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-073017   出願人：サエス・ゲテルス・ソチエタ・ペル・アチオニ
• 特開昭63-123417
  
• 特開昭63-123417