ドライエッチング方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (2件)：内田幸男 (外1名) , 内田幸男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-312906
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189553
出願日： 1997年10月30日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】フォトレジストおよびシリコン基体に対して高い選択性を示し、且つ高速でエッチングすることができ、しかも、シリコン基体の低温制御の必要のないドライエッチング方法を提供する。【解決手段】パーフルオロシクロオレフィンを含むエッチング用ガスを用いて、被エッチング基体の到達温度を実質的に制御することなしにエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

パーフルオロシクロオレフィンを含むドライエッチング用ガスを用いて、被エッチング基体の到達温度を実質的に制御することなくドライエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 F , C23F 4/00 E

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭57-155732
ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-060755 出願人：ソニー株式会社
特開昭57-108267

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