半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-269272
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093928
特許番号：特許第3859403号
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】銅パッドを有する半導体素子が配線基板に実装された半導体装置において、前記銅パッドの表面上に形成され、銅の拡散を防止するための銅拡散防止膜と、前記銅拡散防止膜を介在させた状態で前記銅パッドに電気的に接続された金属バンプとを備え、前記金属バンプを介して前記半導体素子が前記配線基板に実装されており、前記銅拡散防止膜は、Nbを用いて形成されており、前記金属バンプは金を含み、前記銅拡散防止膜と前記金属バンプとの間には、Ti、Ni、Pdの積層膜、Ti、Ni、Auの積層膜、TiW、Auの積層膜、又はTiW、Pdの積層膜のいずれかが形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：