特許
J-GLOBAL ID：201103030339943338

窒化物半導体素子、窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体層の製造方法および窒化物半導体発光素子

発明者：
駒田 聡

駒田 聡 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-134988
公開番号（公開出願番号）：特開2011-077499
出願日： 2010年06月14日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：
【課題】特性を向上させることができる窒化物半導体素子、その窒化物半導体素子の製造方法および窒化物半導体発光素子、ならびに結晶性を向上させることができるとともに表面の平坦性に優れた窒化物半導体層の製造方法を提供する。【解決手段】窒化珪素層上に窒化珪素層の表面に対して傾いた表面を有する第1の窒化物半導体層を積層した後に、第1の窒化物半導体層上に第2の窒化物半導体層を積層する窒化物半導体層の製造方法、その窒化物半導体層を含む窒化物半導体素子および窒化物半導体発光素子ならびにその窒化物半導体素子の製造方法である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に設けられた単層または複数層の第3の窒化物半導体層と、 前記第3の窒化物半導体層上に設けられた窒化珪素層と、 前記窒化珪素層上に設けられた第1の窒化物半導体層と、 前記第1の窒化物半導体層上に設けられた第2の窒化物半導体層と、を含み、 前記第1の窒化物半導体層の少なくとも一部が前記窒化珪素層の表面に対して傾いた表面を有する、窒化物半導体素子。
IPC (6件)：
H01L 33/02 ,  H01S 5/323 ,  H01S 5/02 ,  H01L 33/32 ,  H01L 33/22 ,  H01L 21/205
FI (6件)：
H01L33/00 100 ,  H01S5/323 610 ,  H01S5/02 ,  H01L33/00 186 ,  H01L33/00 172 ,  H01L21/205
Fターム (35件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA53 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA88 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DB01 ,  5F173AG11 ,  5F173AG20 ,  5F173AH22 ,  5F173AP06 ,  5F173AP19 ,  5F173AP23 ,  5F173AR82
引用特許：
審査官引用 (5件)
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