特許
J-GLOBAL ID：201103030744712610
半導体装置の製造方法および半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-287385
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100716
特許番号：特許第4102012号
出願日： 2000年09月21日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 主電極とこの主電極より面積が小さい副電極を上面に有する半導体チップを、接続材を介して外部リードフレームのダイパッドに搭載する工程と、
前記半導体チップの主電極及び副電極と前記外部リードフレームの互いに隣接して前記主電極及び副電極に対応する外部リードの接続用パッドとの間をそれぞれ接続する内部リードが、タイバーにより接続された内部リードフレームを、所定の位置に接続材を介して搭載する工程と、
前記接続材を加熱して、前記半導体チップと前記ダイパッドとの間、前記内部リードと前記半導体チップの電極及び前記外部リードの接続パッドとの間を同時に導電的に固着する工程と、
前記タイバーをカットして、前記内部リードフレームを各内部リードに分離する工程と、
を有し、
前記タイバー部分が、前記半導体チップの前記主電極及び副電極と接続する部分及び前記外部リードの接続パッドと接続する部分より高くなるように、前記内部リードフレームを搭載することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 23/48 P
, H01L 23/48 G
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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