特許
J-GLOBAL ID:201103031117460831
薄膜製造用焼結体ターゲットとその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
河備 健二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-236988
公開番号(公開出願番号):特開2011-084765
出願日: 2009年10月14日
公開日(公表日): 2011年04月28日
要約:
【課題】量産時の連続スパッタリング工程においても、非エロージョン部に堆積した付着膜がターゲット表面から剥がれにくく、ノジュールやアーキングの生じにくい焼結体ターゲットの提供。【解決手段】酸化亜鉛を主成分とした薄膜製造用焼結体ターゲットにおいて、ベースとなる焼結体ターゲットのスパッタ面に、c軸配向した酸化亜鉛を主成分とした薄膜が膜厚20nm以上のシード膜として形成されていることを特徴とする薄膜製造用焼結体ターゲット;酸化亜鉛を主成分とした薄膜製造用焼結体ターゲットの製造方法において、ベースとなる焼結体ターゲットのスパッタ面に、組成が、該焼結体ターゲットの組成と実質的に同じであるシード膜形成用ターゲットを用いて、スパッタリング法で、c軸配向した酸化亜鉛を主成分としたシード膜を20nm以上の厚さに成膜することを特徴とする薄膜製造用焼結体ターゲットの製造方法などによって提供。【選択図】なし
請求項(抜粋):
酸化亜鉛を主成分とした薄膜製造用焼結体ターゲットにおいて、ベースとなる焼結体ターゲットのスパッタ面に、c軸配向した酸化亜鉛を主成分とした薄膜が膜厚20nm以上のシード膜として形成されていることを特徴とする薄膜製造用焼結体ターゲット。
IPC (3件):
C23C 14/34
, C04B 35/453
, C04B 41/87
FI (3件):
C23C14/34 A
, C04B35/00 P
, C04B41/87 C
Fターム (26件):
4G030AA07
, 4G030AA16
, 4G030AA20
, 4G030AA32
, 4G030AA34
, 4G030AA36
, 4G030AA39
, 4G030BA02
, 4G030GA11
, 4G030GA25
, 4G030GA27
, 4G030GA29
, 4G030GA35
, 4K029BA49
, 4K029BB08
, 4K029BC09
, 4K029CA05
, 4K029DC05
, 4K029DC07
, 4K029DC09
, 4K029DC15
, 4K029DC34
, 4K029DC39
, 4K029EA01
, 4K029EA02
, 4K029EA03
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (7件)
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