特許
J-GLOBAL ID：201103031443514259
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-079491
公開番号（公開出願番号）：特開2011-146666
出願日： 2010年03月30日
公開日（公表日）： 2011年07月28日
要約：
【課題】 低コストで、生産性及び歩留まりに優れる構造の不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 メモリセル選択用のトランジスタが形成された基板上の同一層の第1の金属配線119及び第2の金属配線121上に、夫々、第1の開口部128及び第2の開口部129を同時に形成する。次に可変抵抗体124と上部電極126を、第1の開口部128内は上部電極126により完全に充填されるが、第2の開口部129内は完全に充填されることのないように全面に堆積する。その後、第2の開口部の底部に第2の金属配線121の表面が露出するまでエッチバックを行うことで、第1の開口部128内に可変抵抗素子104を、第2の開口部129内に第3の金属配線(ビット線)120と接続するための導通孔を、同時に形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1電極と、第2電極と、前記第1電極及び前記第2電極間に挟持される可変抵抗体を備え、前記第1電極と前記第2電極の間に電圧を印加することにより、前記第1電極と前記第2電極の間の電流電圧特性で表される抵抗状態が二以上の異なる状態間で遷移し、当該遷移後の一の抵抗状態が不揮発的に保持される可変抵抗素子を複数、マトリクス状に配列してなる不揮発性半導体記憶装置であって、
第1の金属配線上に、第1の開口部が、前記第1の金属配線上の層間絶縁膜を貫通するように形成され、
前記第1の金属配線と同一層の第2の金属配線上に、第2の開口部が、前記第2の金属配線上の層間絶縁膜を貫通するように形成され、
前記第1の開口部内において、
前記第1の開口部の底部と側壁部のうち少なくとも底部の全面に形成され、前記第1の金属配線と接触する前記可変抵抗体、及び、前記可変抵抗体を覆う前記第1電極が、夫々形成され、
前記第1の金属配線の少なくとも一部が前記第2電極となって、前記可変抵抗素子が形成され、
前記第2の開口部内において、
前記第2の開口部の底部の側壁に沿った内周部分に前記可変抵抗体が残存するとともに、前記第2の開口部の底部の中央部分に前記可変抵抗体が形成されていないコンタクト領域を有し、
前記コンタクト領域上において前記第2の金属配線と直接接続する第3の金属配線が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 451
, H01L27/10 481
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA28
, 5F083HA02
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA56
, 5F083JA60
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083PR03
, 5F083PR40
, 5F083PR42
, 5F083PR52
