特許
J-GLOBAL ID：201103032030602598

半導体装置およびその製造方法

発明者：
曽祢 修次

曽祢 修次 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-354407
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085642
特許番号：特許第3353833号
出願日： 1999年12月14日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 酸化物誘電体薄膜および該酸化物誘電体薄膜を狭持する一対の電極膜からなる薄膜キャパシタと、該電極膜の少なくとも一方に接続されるコンタクトプラグと、該電極膜および該コンタクトプラグの間に形成されたバリア層とを備える半導体装置であって、前記バリア層は10atm%以上50atm%以下の窒素を含む窒化タンタルよりなる塊状構造の結晶粒層であることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/8242 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108
FI (6件)：
C23C 14/06 A ,  C23C 16/34 ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 444 B
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)

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