シリコン単結晶の製造方法ならびにこの方法で製造された単結晶およびシリコンウエーハ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-071205
公開番号（公開出願番号）：特開2000-264784
特許番号：特許第3589077号
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 2000年09月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】石英ルツボ内のシリコン融液から単結晶を引上げるに際し、該石英ルツボ内の融液に結晶成長軸と垂直方向の磁場を印加しながら単結晶棒を成長させるシリコン単結晶の製造方法において、ルツボ内のシリコン融液表面に発生する、メルト対流で上昇流の部分となる高温部とメルト対流で融液の流れ込む部分となる低温部の内、いずれか一方が常に結晶成長の固液界面に位置するようにして結晶成長を行うことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (1件)：