高周波バイポーラトランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：畑泰之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-120090
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311976
特許番号：特許第3307361号
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体チップと、リードフレームのベース、コレクタ、エミッタ電極と、前記半導体チップのボンディングパッドと前記各電極とを接続するボンディングワイヤと、これらを封止する封止樹脂とで構成したエミッタ接地回路で用いるリードレスパッケージ構造の高周波バイポーラトランジスタにおいて、前記半導体チップを前記エミッタ電極上に配置し、前記エミッタ電極を挟んで、前記ベース電極、前記コレクタ電極を設け、前記各電極を前記封止樹脂の側面の内側に存在するように配置し、前記各電極の一部を前記封止樹脂の下面のみから露出せしめたことを特徴とする高周波バイポーラトランジスタ。

IPC (1件)：