エピタキシャルシリコン単結晶ウエーハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウエーハ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-051784
公開番号（公開出願番号）：特開2000-044389
特許番号：特許第3626364号
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年02月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】エピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを製造する方法において、チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウエーハに加工した後、該シリコン単結晶ウエーハに900°C〜シリコンの融点以下の温度の熱処理を加えウエーハ表層部の欠陥サイズが0.135μm以上の欠陥密度が0.12個/cm2以下で、かつ酸素析出熱処理により形成される酸素析出物密度が1×108個/cm3以上となるものとし、次いでシリコン単結晶ウエーハの表層部にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを製造する方法。

IPC (4件)：

C30B 29/06 , H01L 21/20 , H01L 21/208 , H01L 21/322

FI (5件)：

C30B 29/06 502 H , C30B 29/06 504 F , H01L 21/20 , H01L 21/208 P , H01L 21/322 Y

引用特許：

審査官引用 (11件)

低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-201762 出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
特開昭60-251190
シリコン単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-128062 出願人：信越半導体株式会社

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