不揮発性記憶装置の書込み方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：玉村静世
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-391229
公開番号（公開出願番号）：特開2002-197876
特許番号：特許第4084922号
出願日： 2000年12月22日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ビット線と、前記ビット線と平行する方向に配置された第1信号線及び第2信号線と、前記ビット線を前記第1信号線又は前記第2信号線の何れか一方に接続制御するための第1スイッチ回路及び第2スイッチ回路と、前記第1信号線と前記第2信号線との間に配置されるメモリセルと、を有し、前記メモリセルはソース・ドレイン経路が直列接続される第1トランジスタと電荷蓄積領域を有する第2トランジスタとを有し、半導体基板上に形成した前記第1トランジスタの拡散層領域が前記第1信号線に接続され、同半導体基板上に形成した前記第2トランジスタの拡散層領域が前記第2信号線に接続された不揮発性記憶装置の書込み方法であって、書込み動作に際して、前記第2スイッチ回路をオフ状態として前記第2信号線に所定の第1電圧を印可すると共に、前記第1スイッチ回路をオン状態として前記ビット線に書込みデータに応じた書込み値電圧又は前記書込み値電圧よりも高い非書込み値電圧を印可し、それを前記第1信号線に伝播させ、前記第2トランジスタのゲート電極に書込み値電圧を印加し、前記第1トランジスタのゲート電極に前記書込み値電圧と非書込み値電圧の間の電圧を印加することにより、前記メモリセルが書込対象となる場合は前記第1トランジスタがオン状態となり、前記第1信号線と前記第2信号線との間を前記第1トランジスタと前記第2トランジスタを介して電流が流れることにより前記第2トランジスタの電荷蓄積領域に電荷が注入され、前記メモリセルが書込み非対象となる場合は前記第1トランジスタがオフ状態となり、前記第1信号線と前記第2信号線との間に前記第1トランジスタと前記第2トランジスタを介して電流が流れないことにより前記第2トランジスタの電荷蓄積領域に電荷が注入されないことで情報の記憶を可能とする不揮発性記憶装置の書込み方法。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ( 200 6.01) , G11C 16/04 ( 200 6.01)

FI (2件)：

G11C 17/00 611 Z , G11C 17/00 622 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-096125 出願人：株式会社日立製作所
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-256266 出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-079784 出願人：株式会社日立製作所

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