特許
J-GLOBAL ID：201103033564598762
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-133844
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156524
特許番号：特許第3201475号
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 表面に段差部を有する結晶性基板と、前記結晶性基板上に形成されるとともに前記段差部の低い側に欠陥が集結してなる高欠陥領域と、前記高欠陥領域の近傍に形成された低欠陥領域とを有するIII族窒化物半導体層とを有し、前記低欠陥領域に能動領域が形成された半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 33/00
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/338
, H01L 29/205
, H01L 29/812
, H01L 29/861
, H01S 5/323
H01L 33/00 C
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 29/205
, H01S 5/323
, H01L 29/80 B
, H01L 29/91 C
