半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-067358
公開番号（公開出願番号）：特開2011-199223
出願日： 2010年03月24日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：

【課題】さらに高い耐圧をもつ半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、半導体装置であって、ドリフト層1と、ドリフト層1表面に選択的に形成された、半導体装置の活性領域である第2導電型のベース2と、ベース2と隣接して、ドリフト層1表面に選択的に形成され、ベース2よりも低不純物濃度の、第2導電型のリサーフ層3、12と、リサーフ層3、12と隣接して、ドリフト層1表面に選択的に形成され、ベース2よりも低不純物濃度の、第2導電型のリサーフ層4、13と、ベース2に接続され、ベース2とリサーフ層3、12との境界部分のドリフト層1上に形成された、フィールドプレート9と、フィールドプレート9と平面上離間し、リサーフ層3、12とリサーフ層4、13との境界部分のドリフト層1上に絶縁層8を介して形成された、FFP11とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体装置であって、第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板表面に選択的に形成された、前記半導体装置の活性領域である第2導電型の第1不純物層と、前記第1不純物層と隣接して、前記半導体基板表面に選択的に形成され、前記第1不純物層よりも低不純物濃度の、第2導電型の第2不純物領域と、前記第2不純物領域と隣接して、前記半導体基板表面に選択的に形成され、前記第2不純物領域よりも低不純物濃度の、第2導電型の第3不純物領域と、前記第2不純物領域と前記第3不純物領域との境界部分の前記半導体基板上に絶縁層を介して形成された、第1フローティングフィールドプレートとを備える、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/06 , H01L 29/78 , H01L 29/861

FI (4件)：

H01L29/78 652P , H01L29/06 301F , H01L29/06 301D , H01L29/91 D

引用特許：

審査官引用 (7件)

電力用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-023788 出願人：サンケン電気株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-146521 出願人：サンケン電気株式会社
高耐圧半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-058336 出願人：株式会社日立製作所

全件表示

前のページに戻る