特許
J-GLOBAL ID：201103035656158958
SOI基板の作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西山 恵三
, 内尾 裕一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-156442
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077352
特許番号：特許第3762144号
出願日： 1999年06月03日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 単結晶シリコン基板を水素を含む還元性雰囲気下でアニールする工程、次いで、前記単結晶シリコン基板の表面を熱酸化して酸化シリコン層を形成する工程、前記酸化シリコン層側から前記単結晶シリコン基板にイオンを打ち込みイオン注入層を形成する工程、次いで、前記単結晶シリコン基板内部に埋め込み絶縁膜を形成する工程を有するSOI基板の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 27/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/02 ( 200 6.01)
, H01L 21/324 ( 200 6.01)
, H01L 21/265 ( 200 6.01)
, H01L 21/76 ( 200 6.01)
H01L 27/12 E
, H01L 21/324 X
, H01L 21/265 J
, H01L 21/265 H
, H01L 21/76 R
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (1件)
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