特許
J-GLOBAL ID:201103036032357251
電圧-チャージ制御電力半導体デバイスを制御する装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青山 葆
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-565599
特許番号:特許第4336044号
出願日: 1999年08月11日
請求項(抜粋):
【請求項1】 電力変換機器における電圧-チャージ制御型の電力半導体デバイス(1)を制御するための装置であって、上記電力半導体デバイスの機能パラメータを検出する要素と、上記検出された機能パラメータの値に依存して上記電力半導体デバイスのゲートとエミッタとの間の電圧を制御することで上記電力半導体デバイスを制御する構成部(30)とを有する装置において、
上記要素(18-25)は、上記電力半導体デバイスへの接続部(18-21)を介して、上記電力半導体デバイスの機能を記述する選択的パラメータを検出し、
上記装置はさらに、
選択されかつ検出された機能パラメータの値をその基準レベルと比較する手段(26)と、
上記比較のための上記基準レベルを生成することと、上記比較の結果データを処理し、これに基づいて、上記電力半導体デバイスのゲート(23)から出入りする所定の電流レベルのオーダーに対応するデジタル信号を出力することとを行うプログラム可能な回路(16)と、
電流が固定的である、すなわち、定電流モードで動作する電流源(31,32)を備えるとともに、上記プログラム可能な回路からのデジタル信号を受け、それに基づき、上記所定の電流レベルを有して上記電力半導体デバイスのゲートから出入りする電流を上記電流源を用いて生成し、上記電力半導体デバイスを制御するデジタル制御型増幅器(30)とを有していることを特徴とする電圧-チャージ制御型の電力半導体デバイスを制御する装置。
IPC (5件):
H02M 1/08 ( 200 6.01)
, H02M 7/48 ( 200 7.01)
, H03K 17/04 ( 200 6.01)
, H03K 17/08 ( 200 6.01)
, H03K 17/56 ( 200 6.01)
FI (5件):
H02M 1/08 A
, H02M 7/48 H
, H03K 17/04 Z
, H03K 17/08 Z
, H03K 17/56 Z
引用特許:
審査官引用 (10件)
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電力変換器におけるゲート駆動回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-032224
出願人:富士電機株式会社
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半導体素子の駆動回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-176475
出願人:三菱電機株式会社
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-193462
出願人:株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社
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