特許
J-GLOBAL ID：201103036835587116
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
井上 学
, 戸田 裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-169693
公開番号（公開出願番号）：特開2011-023675
出願日： 2009年07月21日
公開日（公表日）： 2011年02月03日
要約：
【課題】 チャネル移動度が大きく、耐圧を落とすことなく閾値電圧が下げられるUMOSFETを用いたパワー半導体素子が得られる有効な手段がない。【解決手段】 炭化珪素トレンチMOSFETにおいて、pボディ幅濃度が低く幅が狭い領域とpボディ濃度が高く幅が広い領域を併せ持つ半導体装置とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ドレイン層をなす第1導電型の低抵抗の半導体基板と、
前記半導体基板の裏面に接続された第1の主電極と、
前記半導体基板上に形成された第1導電型の前記半導体基板より高抵抗のエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層中に形成された第2導電型のボディ領域と、
前記ボディ領域上に形成された第1導電型の前記半導体基板と同程度に低抵抗のソース層と、
前記ボディ領域と接続し前記半導体基板表面に形成された第2導電型の前記ボディ領域より低抵抗のボディ接続層と
前記ソース層および前記ボディ接続層上に接続された第2の主電極と、
前記ボディ領域と前記ソース層を貫くように形成されたトレンチと、
前記トレンチの側壁および底部に形成されたゲート絶縁膜と、
前記トレンチ内部において前記ゲート絶縁膜を介し前記ボディ領域の全面と前記ソース層の一部に接する第3の主電極と、を備え、
前記トレンチとトレンチで挟まれた前記ボディ領域の幅が少なくとも2種類以上あり、前記ボディ領域幅が狭い領域に比べ前記ボディ領域幅が広い領域のほうがボディ領域の濃度が濃いことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 29/12
, H01L 21/336
H01L29/78 652S
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652D
, H01L29/78 652C
, H01L29/78 658A
, H01L29/78 658E
