特許
J-GLOBAL ID：201103036926338771

熱処理チャンバ用基板支持体及び熱処理チャンバ用基板支持体の形成方法

発明者：
ジェニングス, ディーン, シー.

ジェニングス, ディーン, シー. について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-531865
特許番号：特許第4554075号
出願日： 1999年02月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 炭化珪素基板から形成された半導体ウェーハ支持体であって、 半導体ウェーハを受けるための棚と、 少なくとも前記炭化珪素基板の頂面上又は底面上に直に配置されたポリシリコン層と、 前記ポリシリコン層上に直に配置された窒化珪素層とを備えた、半導体ウェーハ支持体。
IPC (3件)：
H01L 21/26 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/683 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/26 Q ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 N
引用特許：
審査官引用 (8件)
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