特許
J-GLOBAL ID：201103037018529658
窒化珪素質回路基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-309652
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127388
特許番号：特許第4051164号
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】窒化珪素質焼結体からなる絶縁基板の表面に、金属箔または金属板からなる配線回路層が活性金属を含有する接着層によって被着形成されてなるとともに、前記配線回路層のパラジウムが付着した表面に無電解メッキ層を被着形成してなる窒化珪素質回路基板であって、前記絶縁基板表面における少なくとも隣接する前記配線回路層間の絶縁基板表面の表面粗さRmaxが1〜3μmであり、且つ前記絶縁基板の厚みが0.3〜0.7mmであることを特徴とする窒化珪素質回路基板。
IPC (4件)：
H05K 1/03 ( 200 6.01)
, H05K 3/06 ( 200 6.01)
, H05K 3/24 ( 200 6.01)
, H05K 3/38 ( 200 6.01)
H05K 1/03 610 D
, H05K 3/06 A
, H05K 3/24 A
, H05K 3/38 B
