半導体装置の製造方法および半導体製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-250719
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064047
特許番号：特許第4380039号
出願日： 2000年08月22日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを酸素プラズマ処理することにより前記レジストパターンよりも微細なレジストパターンを形成する工程を備え、前記酸素プラズマ処理による前記レジストパターンの線幅減少量が前記レジストパターンの膜厚の減少量に比例することを利用して、前記酸素プラズマ処理中に、前記レジストパターンの膜厚の変化量を検出することで前記レジストパターンの線幅を求め、前記求めたレジストパターンの線幅を判断して前記レジストパターンの酸素プラズマ処理を終点させる半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：