特許
J-GLOBAL ID:201103038540199079
酸化モリブデンで作られた電極を製造する方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 永坂 友康
, 小林 良博
, 河野上 正晴
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-528457
公開番号(公開出願番号):特表2011-501404
出願日: 2008年10月08日
公開日(公表日): 2011年01月06日
要約:
本発明は、特に太陽電池の構造に入れるために設計された基板であって、その一面である内面が、モリブデン系導電素子を受けるように設計された基板に関する。この基板は、導電素子がいくつかのモリブデン系の層で形成され、これらの層の少なくとも一層が酸化モリブデンの濃度が高いことを特徴とする。本発明はまた、上記の基板を用いる太陽電池、及びその製造方法にも関する。
請求項(抜粋):
特に太陽電池の構造に入れるように設計された基板の、その一面である内面がモリブデン系導電素子を受けるように設計された基板であって、該導電素子がいくつかのモリブデン系の層で形成され、これらの層の少なくとも一層は酸化モリブデンの濃度が高いことを特徴とする、基板。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (9件):
5F151AA09
, 5F151AA10
, 5F151BA11
, 5F151CA32
, 5F151CB15
, 5F151CB27
, 5F151DA03
, 5F151FA06
, 5F151GA03
引用特許:
出願人引用 (7件)
-
発光素子、発光装置及び電子機器
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-179730
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
パターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-255091
出願人:シャープ株式会社
-
特開昭59-200417
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審査官引用 (7件)
-
発光素子、発光装置及び電子機器
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-179730
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
パターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-255091
出願人:シャープ株式会社
-
特開昭59-200417
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