半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-152407
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332685
特許番号：特許第3651362号
出願日： 2000年05月24日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】その面内に複数個の半導体素子が形成された第1の半導体ウェハーの個々の半導体素子上にバンプ電極を形成する工程と、前記第1の半導体ウェハーの表面に対して、各半導体素子単位ごとに分離溝を形成する工程と、前記第1の半導体ウェハーに対して、複数の半導体素子単位で各半導体素子間に分離溝が形成された半導体素子群に分割する工程と、前記半導体素子群の各半導体素子のバンプ電極と基板上の電極とを接続し、基板上に半導体素子群を接続する工程と、前記基板上に接続した前記半導体素子群の裏面側から前記半導体素子群の各半導体素子単位の分離溝まで研削し、前記半導体素子群の厚みを薄厚にするとともに、半導体素子群を個々の半導体素子に分離する工程とよりなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 25/065 , H01L 21/301 , H01L 21/60 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (3件)：

H01L 25/08 B , H01L 21/60 311 S , H01L 21/78 Q

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置の組立方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-334705 出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社
特開昭64-038209
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-160643 出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社

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審査官引用 (1件)

半導体装置の組立方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-334705 出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社

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